[公司动态] 6,9GRB000D08V/040 690V 40A美尔森设备保护用熔断器
6,9GRB000D08V/040 690V 40A 6,9GRB000D08V/050 690V 50A 6,9GRB000D08V/063 690V 63A 6,9URB000D08V/0..[公司动态] 6,9GRB000D08V/032 690V 32A全新销售法国罗兰熔断器
6,9GRB000D08V/032 690V 32A 6,9GRB000D08V/040 690V 40A 6,9GRB000D08V/050 690V 50A 6,9GRB000D08V/0..[公司动态] 罗兰6,9GRB000D08V/025 690V 法雷/美尔森FERRAZ熔断器
6,9GRB000D08V/025 690V 26,9GRB000D08V/032 690V 32A 6,9GRB000D08V/040 690V 40A 6,9GRB000D08V/050 6..[公司动态] VUO22-08NO1? ?全新供应?整流桥 VUO22-12NO1 VUO22-14NO1 VUO22-16NO1?
VUO22-08NO1 VUO22-12NO1 VUO22-14NO1 VUO22-16NO1 VUO22-18NO1 VUO25-08NO8 VUO25-12NO8..[公司动态] VUO16-14NO1 VUO16-16NO1 VUO16-18NO1艾赛斯整流桥
VUO16-14NO1 VUO16-16NO1 VUO16-18NO1 VUO22-08NO1 VUO22-12NO1 VUO22-14NO1 VUO22-16NO1..[公司动态] MCD200-16io1 MCD200-18io1艾赛斯二管全新
MCD200-16io1 MCD200-18io1 MCD220-08io1 MCD220-12io1MCD132-14io1 MCD132-16io1 MCD132-18io1..[公司动态] IGBT模块的优点
IGBT模块是一种集成了多个IGBT芯片、驱动电路和保护电路的模块化器件。相比于单个IGBT芯片,IGBT模块具有..[产品知识] 可控硅的优点
可控硅是一种半导体器件,具有以下优点:可控性强:可控硅的导通状态可以通过控制触发电压来实现。只要控..IXFN55N50F 应用广泛 功率mos管
MOS管,全称金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,简称MOSFET..美高森美APT10035JLL 开关速度快 mos管选型
MOS管的工作原理是通过改变金属栅与半导体衬底之间的电场强度来控制电流的流动。当栅电压变化时,电场强度..IXFN102N30P 输入电容小 mos管作用
MOS管的结构主要包括源、漏和栅三个部分。通过在栅上施加电压,可以改变栅与半导体之间的电场,从而控制源..IXFN132N50P3 体积小 MOS管
MOS管,全称金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),是一种常..IXFN36N60 低噪声 mos管参数解读
MOS管的工作原理是通过改变金属栅与半导体衬底之间的电场强度来控制电流的流动。当栅电压变化时,电场强度..SKIIP38NAB065V1 igbt模块回收 开关损耗较低
IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网..SKM500GA124D igbt模块外壳 体积小 重量轻
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双型晶体管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)..SKM100GB176D 西门康igbt模块 散热稳定
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双型晶体管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)..SKM22GD101D igbt功率模块 安全性能好
IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半..SKIIP82AHB15T1 英飞凌igbt模块 易于控制
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双型晶体管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)..产品描述
BSM75GAR120DN2 BSM75GAR120DLC SKM75GAR12V SKM75GAR12T4 SKM75GAR123D SKM75GAR124D SKM75GAR126D SKM75GAR128D BSM50GAR120DN2 BSM50GAR120DLC DF50R12RT4 SKM50GAR12V SKM50GAR12T4 SKM50GAR123D SKM50GAR124D SKM50GAR126D SKM50GAR128D FZ400R17KE3 FZ400R17KE4 FZ400R17KE3_S4 BSM100GB170DN2 BSM100GB170DLC FF150R17KE3 FF150R17KE4 BSM150GB170DN2 BSM150GB170DLC BSM200GB170DN2 BSM200GB170DLC FF200R17KE3 FF200R17KE4 FF200R17KE3_S4 FF100R12KS4 FF150R12KS4 FF200R12KS4 FF300R12KS4 FZ400R12KS4 FZ600R12KS4 SKM200GB125D SKM300GB125D SKM400GB125D FD100R12KS4 FD150R12KS4 FD200R12KS4 FD300R12KS4 DF100R12KS4 DF150R12KS4 DF200R12KS4 DF300R12KS4 FF300R12KE3 FF300R12KE4 FF300R12KT3 FF300R12KT4 BSM300GB120DLC BSM300GB120DN2 FF200R12KE3 FF200R12KE4 FF200R12KT3 FF200R12KT4 BSM200GB120DLC BSM200GB120DN2 苏州徳昇锘科技有限公司是一家从事电力半导体器件和电子元器件的专业代理及分销商,产品广泛应用到民用,工业,通信,等电子产品领域中。专注为电焊机、变频器、开关电源、逆变电源、电力电源、不间断电源、通信电源等能量控制与变换产品提供核心的半导体功率器件。我们拥有稳固的供货渠道,**的质量保证,竞争力强的价格,快捷的交货和完善周到的服务。 IGBT模块、IPM模块、PIM模块、二极管、三极管、可控硅、整流桥、IGBT单管、IGBT电路驱动板、GTR达林顿模块、快恢复二极管、肖特基二极管、熔断器、IC集成电路、快速熔断器等。 代理经营**着名公司生产的电力电子器件,主要品牌括: Infineon英飞凌、EUPEC欧派克、SANREX三社、IXYS艾赛斯、SEMIKRON西门康、FUJI富士、MISUBISHI三菱、新电元、东芝、IR、西门子、英达、三肯、三洋、APT、ST、美高森美、巴斯曼BUSSMANN、法国罗兰等。
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