[公司动态] VUO22-08NO1? ?全新供应?整流桥 VUO22-12NO1 VUO22-14NO1 VUO22-16NO1?
VUO22-08NO1 VUO22-12NO1 VUO22-14NO1 VUO22-16NO1 VUO22-18NO1 VUO25-08NO8 VUO25-12NO8..[公司动态] VUO16-14NO1 VUO16-16NO1 VUO16-18NO1艾赛斯整流桥
VUO16-14NO1 VUO16-16NO1 VUO16-18NO1 VUO22-08NO1 VUO22-12NO1 VUO22-14NO1 VUO22-16NO1..[公司动态] MCD200-16io1 MCD200-18io1艾赛斯二管全新
MCD200-16io1 MCD200-18io1 MCD220-08io1 MCD220-12io1MCD132-14io1 MCD132-16io1 MCD132-18io1..[公司动态] IGBT模块的优点
IGBT模块是一种集成了多个IGBT芯片、驱动电路和保护电路的模块化器件。相比于单个IGBT芯片,IGBT模块具有..[产品知识] 可控硅的优点
可控硅是一种半导体器件,具有以下优点:可控性强:可控硅的导通状态可以通过控制触发电压来实现。只要控..[公司动态] 快恢复二极管的优点
快恢复二极管是一种半导体器件,具有以下优点:快速开关速度:快恢复二极管的开关速度非常快,可以在较短..[产品知识] 整流桥的优点
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二极管是一种半导体元件,由P型半导体和N型半导体组成。它具有单向导电性,即只有在正向电压作用下才能导..DCG130X1200NA ss34肖特基二极管 应用广泛
肖特基二极管(Schottky diode)是一种二极管,由德国物理学家沃尔特·肖特基发明。它与普通二极管不同,它..DSS2X101-02A 1a肖特基二极管 逆向漏电流小
肖特基二极管它的主要特点是低电压降和快速开关速度,适用于电路、功率电路和数字电路等领域。肖特基二极..DSS2X160-0045 2a肖特基二极管 使用寿命较长
肖特基二极管(Schottky Diode)又称为热电二极管、势垒二极管,是一种由金属与半导体构成的二极管。与普..领英MBR200100CTS ss14肖特基二极管 体积小
肖特基二极管(Schottky Diode),也称为肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),是一种半导体器件..DSS2X61-01A 二极管肖特基 可靠性较高
肖特基二极管的主要特点是具有低的正向电压降和快速的开关速度,适用于电路和低功耗电路。它们也被广泛应..mos晶体管 应用广泛 APT10035JLL
MOS管,全称金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,简称MOSFET..大功率mos管 高输入阻抗 IXFN38N80Q2
MOS管的结构主要包括源、漏和栅三个部分。通过在栅上施加电压,可以改变栅与半导体之间的电场,从而控制源..mos管参数解读 输入电容小 IXTN21N100
MOS管的工作原理是通过改变金属栅与半导体衬底之间的电场强度来控制电流的流动。当栅电压变化时,电场强度..美高森美 低噪声 IXFN21N100Q
MOS管,全称金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),是一种常..mos管选型 开关速度快 IXFN24N100
MOS管的主要特点是输入电阻高、输入电容小、速度快、可靠性高、功耗低、体积小等。MOS管的工作原理是利用..起订量:1 个 价格:90 元/个
产品描述
MOS管,全称金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,简称MOSFET),是一种常用的半导体器件,主要用于功率放大和开关控制等领域。
MOS管具有低电压、低功耗、高输入阻抗、高速开关、可靠性好等优点,因此广泛应用于电子电路中的功率放大、开关控制、信号调理、数字逻辑等领域。
MOS管的工作原理是通过改变栅电上的电场,来控制源漏间的电流。MOS管的主要结构包括:P型衬底、N型沟道、P型源、P型漏、金属栅和氧化物层。其中,金属栅和氧化物层一起构成了栅结构,被称为MOS结。
MOS管具有电压控制、低功耗、高输入阻抗等优点,被广泛应用于数字电路、模拟电路、功率电子等领域。根据工作模式,MOS管可分为N沟道MOS管(NMOS)和P沟道MOS管(PMOS)。此外,还有双性MOS管(Bipolar MOSFET)和增强型MOS管(Enhancement MOSFET)等类型。
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