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可控硅 二极管 IGBT模块

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  • IXFN200N10P 功耗低 应用广泛
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产品描述

安装类型标准 售后完善 类型MOS管 可售卖地全国 特点可控性强

MOS管的工作原理是通过改变金属栅与半导体衬底之间的电场强度来控制电流的流动。当栅电压变化时,电场强度也会发生变化,从而改变导电区的电荷密度和电阻,从而控制电流的流动。


MOS管具有低电压、低功耗、高输入阻抗、高速开关、可靠性好等优点,因此广泛应用于电子电路中的功率放大、开关控制、信号调理、数字逻辑等领域。


IXFN200N10P

MOS管的工作原理是通过改变栅电上的电场,来控制源漏间的电流。MOS管的主要结构包括:P型衬底、N型沟道、P型源、P型漏、金属栅和氧化物层。其中,金属栅和氧化物层一起构成了栅结构,被称为MOS结。


IXFN200N10P

MOS管是一种金属氧化物半导体场效应管,也称为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。它是一种三端器件,由源(S)、漏(L)和栅(G)三个电组成。


IXFN200N10P

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