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IXFN26N100P 集成度高
  • IXFN26N100P 集成度高
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产品描述

可售卖地全国 类型MOS管 特点可控性强 售后完善 较小包装量卷 安装类型标准
MOS管的结构主要包括源、漏和栅三个部分。通过在栅上施加电压，可以改变栅与半导体之间的电场，从而控制源漏电流的大小。MOS管广泛应用于电源管理、电机驱动、LED驱动、汽车电子、通讯设备等领域。
MOS管具有许多优点，如低功耗、高速度、高输入阻抗、可靠性和可控性。它们广泛应用于数字电路、模拟电路、微处理器、存储器、功率放大器等领域。不同类型和参数的MOS管适用于不同的应用场景，可以根据具体需求进行选择和设计。
IXFN26N100P
MOS管是一种金属氧化物半导体场效应管，也称为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）。它是一种三端器件，由源(S)、漏(L)和栅(G)三个电组成。
IXFN26N100P
MOS管根据结构和工作原理的不同，可以分为两种类型：MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）和CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）。
IXFN26N100P
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