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[公司动态] 6,9GRB000D08V/040 690V 40A美尔森设备保护用熔断器
6,9GRB000D08V/040 690V 40A 6,9GRB000D08V/050 690V 50A 6,9GRB000D08V/063 690V 63A 6,9URB000D08V/0..[公司动态] 6,9GRB000D08V/032 690V 32A全新销售法国罗兰熔断器
6,9GRB000D08V/032 690V 32A 6,9GRB000D08V/040 690V 40A 6,9GRB000D08V/050 690V 50A 6,9GRB000D08V/0..[公司动态] 罗兰6,9GRB000D08V/025 690V 法雷/美尔森FERRAZ熔断器
6,9GRB000D08V/025 690V 26,9GRB000D08V/032 690V 32A 6,9GRB000D08V/040 690V 40A 6,9GRB000D08V/050 6..[公司动态] VUO22-08NO1? ?全新供应?整流桥 VUO22-12NO1 VUO22-14NO1 VUO22-16NO1?
VUO22-08NO1 VUO22-12NO1 VUO22-14NO1 VUO22-16NO1 VUO22-18NO1 VUO25-08NO8 VUO25-12NO8..[公司动态] VUO16-14NO1 VUO16-16NO1 VUO16-18NO1艾赛斯整流桥
VUO16-14NO1 VUO16-16NO1 VUO16-18NO1 VUO22-08NO1 VUO22-12NO1 VUO22-14NO1 VUO22-16NO1..[公司动态] MCD200-16io1 MCD200-18io1艾赛斯二管全新
MCD200-16io1 MCD200-18io1 MCD220-08io1 MCD220-12io1MCD132-14io1 MCD132-16io1 MCD132-18io1..[公司动态] IGBT模块的优点
IGBT模块是一种集成了多个IGBT芯片、驱动电路和保护电路的模块化器件。相比于单个IGBT芯片，IGBT模块具有..[产品知识] 可控硅的优点
可控硅是一种半导体器件，具有以下优点：可控性强：可控硅的导通状态可以通过控制触发电压来实现。只要控..三社双向可控硅 PWB60A30 易于安装和维护
三社可控硅是一种半导体器件，也称为可控硅（SCR）。它是一种具有双向导通特性的电子器件，可以控制电流的..可控硅模块 PE90GB80 功耗低
三社可控硅是一种半导体器件，也叫做晶闸管，被广泛应用于电力电子领域。它具有控制电流的功能，可以实现..三社可控硅 PK110FG160 应用广泛
三社可控硅是一种半导体器件，也叫做晶闸管，被广泛应用于电力电子领域。它具有控制电流的功能，可以实现..三社可控硅型号 PK70FG160 功率密度高
可控硅是一种半导体器件，具有高压、高温、的特点，广泛应用于电力、电子、通信、自动化控制等领域。三社..三社可控硅模块 KK90GB40 性能稳定
三社可控硅是一种半导体器件，也叫做晶闸管，被广泛应用于电力电子领域。它具有控制电流的功能，可以实现..SKM150GAL125D igbt集成模块
IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交..SKM600GA174D igbt模块
IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT..SKIIP38AC12T4V1 igbt模块回收
IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT..SKIIP603GB123CT igbt功率模块
IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交..SKM150GB066D igbt半桥模块
IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半..
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