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[公司动态] 6,9GRB000D08V/040 690V 40A美尔森设备保护用熔断器
6,9GRB000D08V/040 690V 40A 6,9GRB000D08V/050 690V 50A 6,9GRB000D08V/063 690V 63A 6,9URB000D08V/0..[公司动态] 6,9GRB000D08V/032 690V 32A全新销售法国罗兰熔断器
6,9GRB000D08V/032 690V 32A 6,9GRB000D08V/040 690V 40A 6,9GRB000D08V/050 690V 50A 6,9GRB000D08V/0..[公司动态] 罗兰6,9GRB000D08V/025 690V 法雷/美尔森FERRAZ熔断器
6,9GRB000D08V/025 690V 26,9GRB000D08V/032 690V 32A 6,9GRB000D08V/040 690V 40A 6,9GRB000D08V/050 6..[公司动态] VUO22-08NO1? ?全新供应?整流桥 VUO22-12NO1 VUO22-14NO1 VUO22-16NO1?
VUO22-08NO1 VUO22-12NO1 VUO22-14NO1 VUO22-16NO1 VUO22-18NO1 VUO25-08NO8 VUO25-12NO8..[公司动态] VUO16-14NO1 VUO16-16NO1 VUO16-18NO1艾赛斯整流桥
VUO16-14NO1 VUO16-16NO1 VUO16-18NO1 VUO22-08NO1 VUO22-12NO1 VUO22-14NO1 VUO22-16NO1..[公司动态] MCD200-16io1 MCD200-18io1艾赛斯二管全新
MCD200-16io1 MCD200-18io1 MCD220-08io1 MCD220-12io1MCD132-14io1 MCD132-16io1 MCD132-18io1..[公司动态] IGBT模块的优点
IGBT模块是一种集成了多个IGBT芯片、驱动电路和保护电路的模块化器件。相比于单个IGBT芯片，IGBT模块具有..[产品知识] 可控硅的优点
可控硅是一种半导体器件，具有以下优点：可控性强：可控硅的导通状态可以通过控制触发电压来实现。只要控..美高森美APT2X101D20J 快恢复二极管
快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、..DSEI2X60-04C 电子元器件
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基..美高森美APT2X61S20J 三社
快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电..美高森美APT2X31DQ100J 电子元器件
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，..美高森美APT2X100DQ60J 电子元器件
快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、..VUO35-12NO7 艾赛斯VBE60-12A
整流桥模块具有快速响应、率、低噪音、低功耗等特点，可广泛应用于电源、电机驱动、光伏发电等领域。桥式..VUO190-08NO7 美高森美APT30DF60HJ
整流桥模块是一种用于变换交流电为直流电的电路模块。它通常由多个二极管和电容器组成，可以将交流电输入..VUO125-14NO7 艾赛斯VBE60-06A
整流桥模块是一种用于变换交流电为直流电的电路模块。它通常由多个二极管和电容器组成，可以将交流电输入..VUO122-16NO7 美高森美APT60DF60HJ
整流桥模块具有快速响应、率、低噪音、低功耗等特点，可广泛应用于电源、电机驱动、光伏发电等领域。整流..VUO60-14NO3 APT30DF60HJ
整流桥模块是一种用于将交流电转换为直流电的电子模块。它通常由多个二极管和电容器组成，用于将交流电转..
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