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[公司动态] 6,9GRB000D08V/040 690V 40A美尔森设备保护用熔断器
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6,9GRB000D08V/032 690V 32A 6,9GRB000D08V/040 690V 40A 6,9GRB000D08V/050 690V 50A 6,9GRB000D08V/0..[公司动态] 罗兰6,9GRB000D08V/025 690V 法雷/美尔森FERRAZ熔断器
6,9GRB000D08V/025 690V 26,9GRB000D08V/032 690V 32A 6,9GRB000D08V/040 690V 40A 6,9GRB000D08V/050 6..[公司动态] VUO22-08NO1? ?全新供应?整流桥 VUO22-12NO1 VUO22-14NO1 VUO22-16NO1?
VUO22-08NO1 VUO22-12NO1 VUO22-14NO1 VUO22-16NO1 VUO22-18NO1 VUO25-08NO8 VUO25-12NO8..[公司动态] VUO16-14NO1 VUO16-16NO1 VUO16-18NO1艾赛斯整流桥
VUO16-14NO1 VUO16-16NO1 VUO16-18NO1 VUO22-08NO1 VUO22-12NO1 VUO22-14NO1 VUO22-16NO1..[公司动态] MCD200-16io1 MCD200-18io1艾赛斯二管全新
MCD200-16io1 MCD200-18io1 MCD220-08io1 MCD220-12io1MCD132-14io1 MCD132-16io1 MCD132-18io1..[公司动态] IGBT模块的优点
IGBT模块是一种集成了多个IGBT芯片、驱动电路和保护电路的模块化器件。相比于单个IGBT芯片，IGBT模块具有..[产品知识] 可控硅的优点
可控硅是一种半导体器件，具有以下优点：可控性强：可控硅的导通状态可以通过控制触发电压来实现。只要控..PK55HB160 体积小 重量轻
三社可控硅是一种半导体器件，也叫做晶闸管，被广泛应用于电力电子领域。它具有控制电流的功能，可以实现..PD25HB160 控制电路简单
三社可控硅是一种电子元器件，也叫做晶闸管。它具有控制电流的能力，可以用于交流电路中控制电流的大小，..PK130FG160 可控性强
三社可控硅的主要优点是：可靠性高、寿命长、体积小、功率密度高、响应速度快、控制电路简单等。它广泛应..TG35E60 功能全面
三社可控硅是一种半导体器件，也称为可控硅（SCR）。它是一种具有双向导通特性的电子器件，可以控制电流的..PD90GB80 可靠性高
三社可控硅的主要优点是：可靠性高、寿命长、体积小、功率密度高、响应速度快、控制电路简单等。它广泛应..IXFN320N17T2 mos晶体管
MOS管的主要特点是输入电阻高、输入电容小、速度快、可靠性高、功耗低、体积小等。MOS管的工作原理是利用..IXKN40N60C mos管原理
MOS管的工作原理是通过改变金属栅与半导体衬底之间的电场强度来控制电流的流动。当栅电压变化时，电场强度..IXFN73N30Q MOS管
MOS管的结构主要包括源、漏和栅三个部分。通过在栅上施加电压，可以改变栅与半导体之间的电场，从而控制源..IXFN82N60P mos管驱动芯片
MOS管的工作原理是通过改变金属栅与半导体衬底之间的电场强度来控制电流的流动。当栅电压变化时，电场强度..IXFN82N60Q3 美高森美
MOS管的主要特点是输入电阻高、输入电容小、速度快、可靠性高、功耗低、体积小等。MOS管的工作原理是利用..
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