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0512-57406365
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[公司动态] IGBT模块的优点
IGBT模块是一种集成了多个IGBT芯片、驱动电路和保护电路的模块化器件。相比于单个IGBT芯片，IGBT模块具有..[产品知识] 可控硅的优点
可控硅是一种半导体器件，具有以下优点：可控性强：可控硅的导通状态可以通过控制触发电压来实现。只要控..[公司动态] 快恢复二极管的优点
快恢复二极管是一种半导体器件，具有以下优点：快速开关速度：快恢复二极管的开关速度非常快，可以在较短..[产品知识] 整流桥的优点
整流桥是由四个二极管组成的桥形电路，可用于实现交流电到直流电的全波整流。相对于单个整流二极管，整流..[产品知识] 二极管
二极管是一种半导体元件，由P型半导体和N型半导体组成。它具有单向导电性，即只有在正向电压作用下才能导..[客户案例] 快恢复二极管
快恢复二极管（Fast Recovery Diode）是一种专门用于高频开关电路的二极管。相比于普通二极管，快恢复二极..[客户案例] IGBT模块
IGBT模块是一种集成了多个功率晶体管的半导体器件。IGBT是 Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双..[产品知识] 三极管可控开关
三极管可控开关是一种常见的电路，它由三极管、电阻和电源等元件组成。其中，三极管的主要作用是作为开关..170M1810 170M1811 170M1827 170M1830 170M1831巴斯曼熔断器
170M1810 170M1811 170M1827 170M1830 170M1831170M2673 170M2674 170M2675 170M2676 1..170M1516 170M1517 170M1518 170M1519巴斯曼bussmann熔断器
170M1516 170M1517170M1518 170M1519 170M1520 170M1521170M1522 170M1532 170M1533 170M15..170M1519 170M1520 170M1521 170M1522巴斯曼bussmann熔断器
170M1512170M1513 170M1514 170M1515170M1516 170M1517170M1518 170M1519 170M1520 170M1521170M..170M1532 170M1533 170M1534 170M1535巴斯曼bussmann熔断器
170M1512170M1513 170M1514 170M1515170M1516 170M1517170M1518 170M1519 170M1520 170M1521170M..170M1512 170M1513 170M1514 170M1515巴斯曼bussmann熔断器
170M1512170M1513 170M1514 170M1515170M1516 170M1517170M1518 170M1519 170M1520 170M1521170M..170M1508 170M1509 170M1510 170M1511巴斯曼bussmann熔断器
170M1569 170M1570 170M1571 170M1572 170M1508 170M1509170M1510 170M1511170M1512170M1513 170M1514 ..170M1569 170M1570 170M1571 170M1572巴斯曼bussmann熔断器
170M1569 690V 160 170M1570 690V 200 170M1571 690V 250 170M1572 690V 315 170M1508 170M1509170M1510 ..170M2668 170M2669 170M2670 170M2671 170M2672熔断器
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起订量：1 个 价格：78 元/个
产品描述
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。
快恢复二极管的主要优点是反向恢复时间短，能够快速地恢复到正向导通状态，从而减少了开关过程中的能量损耗，提高了开关效率。此外，快恢复二极管还具有低反向漏电流、高温稳定性等优点，适用于开关电路、电源电路、逆变器等多种应用场合。
快恢复二极管是一种反向恢复时间很短的二极管，通常在5微秒以下。它的工艺上采用掺金技术，结构上采用PN结型结构或改进的PIN结构。
快恢复二极管的正向压降**普通二极管，通常在1-2V之间，反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和**快恢复两个等级，前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。
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