美高森美APT100GN120J 易于控制 开关损耗较低

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双型三管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（Giant Transistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。

IGBT模块是一种集成了多个IGBT晶体管、驱动电路、保护电路和散热器的模块化电子器件。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种高压、高速、低开关损耗、低饱和电压降的功率半导体器件，常用于高功率电子设备中。IGBT模块的主要作用是将电能转换为机械能，常用于电机驱动、变频器、逆变器、UPS等电力电子设备中。IGBT模块具有体积小、效率高、可靠性好、易于安装和维护等优点，因此在工业自动化、交通运输、电力系统等领域得到广泛应用。

IGBT模块是一种集成了多个IGBT晶体管、驱动电路和保护电路的半导体器件。IGBT是一种功率半导体器件，具有高电压、高电流和高开关速度的特点，被广泛应用于电力电子设备中，如变频器、电力逆变器、电机驱动器等。

IGBT模块的特点是具有率、高速度、高可靠性和高功率密度等优点，被广泛应用于变频器、电力电子设备、电机驱动系统、太阳能逆变器、风力发电系统等领域。

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