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可控硅 二极管 IGBT模块

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  • IXFN55N50F 功耗低 应用广泛
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产品描述

可售卖地全国 售后完善 公司名苏州徳昇锘电子科技有限公司 安装类型标准 较小包装量

MOS管的结构主要包括源、漏和栅三个部分。通过在栅上施加电压,可以改变栅与半导体之间的电场,从而控制源漏电流的大小。MOS管广泛应用于电源管理、电机驱动、LED驱动、汽车电子、通讯设备等领域。


MOS管是一种金属氧化物半导体场效应管,也称为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。它是一种三端器件,由源(S)、漏(L)和栅(G)三个电组成。


IXFN55N50F

MOS管具有低电压、低功耗、高输入阻抗、高速开关、可靠性好等优点,因此广泛应用于电子电路中的功率放大、开关控制、信号调理、数字逻辑等领域。


IXFN55N50F

MOS管全称为金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),是一种基于半导体材料的电子器件。MOS管的主要特点是输入电阻高、输入电容小、功耗低、速度快、抗干扰能力强等,因此在模拟电路和数字电路中被广泛应用。


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