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可控硅 二极管 IGBT模块

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  • IXFN24N90Q 体积小 输入电容小
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产品描述

可售卖地全国 特点可控性强 售后完善 安装类型标准 较小包装量

MOS管的结构主要包括源、漏和栅三个部分。通过在栅上施加电压,可以改变栅与半导体之间的电场,从而控制源漏电流的大小。MOS管广泛应用于电源管理、电机驱动、LED驱动、汽车电子、通讯设备等领域。


MOS管具有电压控制、低功耗、高输入阻抗等优点,被广泛应用于数字电路、模拟电路、功率电子等领域。根据工作模式,MOS管可分为N沟道MOS管(NMOS)和P沟道MOS管(PMOS)。此外,还有双性MOS管(Bipolar MOSFET)和增强型MOS管(Enhancement MOSFET)等类型。


IXFN24N90Q

MOS管具有低电压、低功耗、高输入阻抗、高速开关、可靠性好等优点,因此广泛应用于电子电路中的功率放大、开关控制、信号调理、数字逻辑等领域。


IXFN24N90Q

MOS管的工作原理是通过改变栅电上的电场,来控制源漏间的电流。MOS管的主要结构包括:P型衬底、N型沟道、P型源、P型漏、金属栅和氧化物层。其中,金属栅和氧化物层一起构成了栅结构,被称为MOS结。


IXFN24N90Q

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