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可控硅 二极管 IGBT模块 FUJI富士 苏州可控硅 IGBT模块现货

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  • 大卫 低温特性好 反向恢复时间短
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产品描述

售后完善 RoHS 产地苏州 类型快恢复二极管 特点反向漏电流小

快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压。


快恢复二极管的主要优点是反向恢复时间短,能够快速地恢复到正向导通状态,从而减少了开关过程中的能量损耗,提高了开关效率。此外,快恢复二极管还具有低反向漏电流、高温稳定性等优点,适用于开关电路、电源电路、逆变器等多种应用场合。


大卫

快恢复二极管广泛应用于电源、电机驱动、电子变频器、UPS、逆变器、电焊机等高压领域。


大卫

快恢复二极管的正向压降**普通二极管,通常在1-2V之间,反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和**快恢复两个等级,前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。


大卫

公司秉承“顾客至上、服务为本”的经营宗旨,以“以诚合作,以信经营”的经营理念,欢迎新老客户来函、来电、来人现场考察洽谈合作!


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