[公司动态] VUO22-08NO1? ?全新供应?整流桥 VUO22-12NO1 VUO22-14NO1 VUO22-16NO1?
VUO22-08NO1 VUO22-12NO1 VUO22-14NO1 VUO22-16NO1 VUO22-18NO1 VUO25-08NO8 VUO25-12NO8..[公司动态] VUO16-14NO1 VUO16-16NO1 VUO16-18NO1艾赛斯整流桥
VUO16-14NO1 VUO16-16NO1 VUO16-18NO1 VUO22-08NO1 VUO22-12NO1 VUO22-14NO1 VUO22-16NO1..[公司动态] MCD200-16io1 MCD200-18io1艾赛斯二管全新
MCD200-16io1 MCD200-18io1 MCD220-08io1 MCD220-12io1MCD132-14io1 MCD132-16io1 MCD132-18io1..[公司动态] IGBT模块的优点
IGBT模块是一种集成了多个IGBT芯片、驱动电路和保护电路的模块化器件。相比于单个IGBT芯片,IGBT模块具有..[产品知识] 可控硅的优点
可控硅是一种半导体器件,具有以下优点:可控性强:可控硅的导通状态可以通过控制触发电压来实现。只要控..[公司动态] 快恢复二极管的优点
快恢复二极管是一种半导体器件,具有以下优点:快速开关速度:快恢复二极管的开关速度非常快,可以在较短..[产品知识] 整流桥的优点
整流桥是由四个二极管组成的桥形电路,可用于实现交流电到直流电的全波整流。相对于单个整流二极管,整流..[产品知识] 二极管
二极管是一种半导体元件,由P型半导体和N型半导体组成。它具有单向导电性,即只有在正向电压作用下才能导..igbt模块回收 SKIIP37NAB066V1
IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半..igbt模块封装类型 SKM200GB12T4
IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网..igbt集成模块 SKM100GAR063D
IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的IGBT..igbt模块封装 SKM200GAH126DKLT
IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交..新能源汽车igbt模块 SKM50GB063D
IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网..APT2X30D30J 三社快恢复二极管 低温特性好
快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、..DSEI2X101-12A 三社 耐压高
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,..APT2X60D60J 电子元器件 正向压降低
快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、..DSEP2X61-06A 大卫 逆电压容限高
快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电..APT2X30D60J 快恢复二极管模块 反向漏电流小
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基..起订量:1 个 价格:78 元/个
产品描述
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压。
快恢复二极管的主要优点是反向恢复时间短,能够快速地恢复到正向导通状态,从而减少了开关过程中的能量损耗,提高了开关效率。此外,快恢复二极管还具有低反向漏电流、高温稳定性等优点,适用于开关电路、电源电路、逆变器等多种应用场合。
快恢复二极管广泛应用于电源、电机驱动、电子变频器、UPS、逆变器、电焊机等高压领域。
快恢复二极管的正向压降**普通二极管,通常在1-2V之间,反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和**快恢复两个等级,前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。
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