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可控硅 二极管 IGBT模块

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  • IXFN82N60Q3 可靠性高 可控性强
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产品描述

特点可控性强 公司名苏州徳昇锘电子科技有限公司 安装类型标准 类型MOS管 产地苏州

MOS管的工作原理是通过改变金属栅与半导体衬底之间的电场强度来控制电流的流动。当栅电压变化时,电场强度也会发生变化,从而改变导电区的电荷密度和电阻,从而控制电流的流动。


MOS管是一种金属氧化物半导体场效应管,也称为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。它是一种三端器件,由源(S)、漏(L)和栅(G)三个电组成。


IXFN82N60Q3

MOS管的工作原理是通过改变栅电上的电场,来控制源漏间的电流。MOS管的主要结构包括:P型衬底、N型沟道、P型源、P型漏、金属栅和氧化物层。其中,金属栅和氧化物层一起构成了栅结构,被称为MOS结。


IXFN82N60Q3

MOS管全称为金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),是一种基于半导体材料的电子器件。MOS管的主要特点是输入电阻高、输入电容小、功耗低、速度快、抗干扰能力强等,因此在模拟电路和数字电路中被广泛应用。


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