艾赛斯IXDN55N120 散热稳定 开关损耗较低

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双型三管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（Giant Transistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。

IGBT模块是一种封装了多个IGBT芯片的模块化设备，常用于高功率电力电子设备中。IGBT模块的主要作用是提供高电压、高电流和高功率的开关控制。它通常由多个IGBT芯片、驱动电路、散热器和连接器等组成，可以方便地安装在电力电子设备中。

IGBT模块是一种集成了多个IGBT晶体管、驱动电路和保护电路的半导体器件。IGBT是一种功率半导体器件，具有高电压、高电流和高开关速度的特点，被广泛应用于电力电子设备中，如变频器、电力逆变器、电机驱动器等。

IGBT模块的主要作用是将电能转换成机械能，实现电机的正反转和调速，同时也可以用于电力传输和变换。IGBT模块的优点是集成度高、可靠性强、体积小、重量轻、安装方便，可以提高电力设备的效率和可靠性。

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