SKM145GB128DE 散热稳定 igbt驱动模块

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双型三管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（Giant Transistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。
IGBT模块的特点是具有率、高速度、高可靠性和高功率密度等优点，被广泛应用于变频器、电力电子设备、电机驱动系统、太阳能逆变器、风力发电系统等领域。

IGBT模块的选择应根据具体应用的功率需求、电压要求和开关频率等因素进行。不同型号和规格的IGBT模块适用于不同的应用场景，可以根据需求进行选择和配置。

IGBT模块（Insulated Gate Bipolar Transistor Module）是一种集成了多个IGBT晶体管和驱动电路的模块化器件。IGBT是一种高压、高功率开关器件，结合了MOSFET的高速开关特性和普通双型晶体管的低导通压降特性。

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