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SKM200GAL123DKLD 易于控制
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可售卖地全国 安装类型标准 发货地苏州 售后完善 类型IGBT模块 系列IGBT系列 可控硅类型硅（si） 种类化合物半导体 范围全国 用途电网 新能源汽车 封装材料塑料封装 频率特性中频 功率特性中功率 散热功能不带散热片 控制较触发电压800A 正向重复峰值电压1700V 材质金属 全新原包装模组 芯片
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双型三管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（Giant Transistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。
IGBT模块的特点是具有率、高速度、高可靠性和高功率密度等优点，被广泛应用于变频器、电力电子设备、电机驱动系统、太阳能逆变器、风力发电系统等领域。
SKM200GAL123DKLD
IGBT模块通常由多个IGBT晶体管、自由轮二极管、驱动电路和保护电路组成。它们装在一个模块化的外壳中，方便安装和使用。
SKM200GAL123DKLD
IGBT模块的选择应根据具体应用的功率需求、电压要求和开关频率等因素进行。不同型号和规格的IGBT模块适用于不同的应用场景，可以根据需求进行选择和配置。
SKM200GAL123DKLD
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