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可控硅 二极管 IGBT模块

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IXFN200N10P 集成度高
  • IXFN200N10P 集成度高
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产品描述

可售卖地全国 类型MOS管 特点可控性强 售后完善 较小包装量 安装类型标准
MOS管的主要特点是输入电阻高、输入电容小、速度快、可靠性高、功耗低、体积小等。MOS管的工作原理是利用半导体材料的导电性能,通过在半导体表面形成一个绝缘层,来控制电流的流动。
MOS管由金属栅、氧化物绝缘层和半导体材料组成。栅上的电压可以控制氧化物绝缘层下的电场,从而调节半导体中的电荷分布,控制电流的流动。
IXFN200N10P
MOS管根据结构和工作原理的不同,可以分为两种类型:MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)和CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)。
IXFN200N10P
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种基于金属-氧化物-半导体结构的场效应晶体管。它是一种主要用于放大和开关电路的半导体器件。
IXFN200N10P
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