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可控硅 二极管 IGBT模块

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IXFN64N50P 高输入阻抗
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产品描述

可售卖地全国 类型MOS管 特点可控性强 售后完善 较小包装量 安装类型标准
MOS管的工作原理是通过改变金属栅与半导体衬底之间的电场强度来控制电流的流动。当栅电压变化时,电场强度也会发生变化,从而改变导电区的电荷密度和电阻,从而控制电流的流动。
MOSFET是一种单型晶体管,具有三个电:栅(Gate)、漏(Drain)和源(Source)。通过调节栅电压,可以控制漏和源之间的电流流动,实现放大和开关功能。
IXFN64N50P
MOS管根据结构和工作原理的不同,可以分为两种类型:MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)和CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)。
IXFN64N50P
MOS管全称为金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),是一种基于半导体材料的电子器件。MOS管的主要特点是输入电阻高、输入电容小、功耗低、速度快、抗干扰能力强等,因此在模拟电路和数字电路中被广泛应用。
IXFN64N50P
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