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可控硅 二极管 IGBT模块

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igbt驱动模块 SKM195GAL124DN
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产品描述

可售卖地全国 安装类型标准 发货地苏州 售后完善 类型IGBT模块 系列IGBT系列 可控硅类型硅（si） 种类化合物半导体 范围全国 用途电网 新能源汽车 封装材料塑料封装 频率特性中频 功率特性中功率 散热功能不带散热片 控制较触发电压800A 正向重复峰值电压1700V 材质金属 全新原包装模组 芯片
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双型三管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（Giant Transistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。
IGBT模块是一种集成了多个IGBT晶体管、驱动电路和保护电路的半导体器件。IGBT是一种功率半导体器件，具有高电压、高电流和高开关速度的特点，被广泛应用于电力电子设备中，如变频器、电力逆变器、电机驱动器等。
igbt驱动模块
IGBT模块的驱动电路负责控制IGBT的开关操作，确保其在适当的时间和方式下导通和截止。保护电路则用于监测和保护IGBT模块免受过电流、过温度和过压等异常情况的损害。
igbt驱动模块
IGBT模块具有高电压和高电流承受能力，适用于高功率应用，如电力电子设备、电机驱动器、逆变器、变频器等。它们可以实现的功率转换和控制，具有较低的开关损耗和较高的开关速度。
igbt驱动模块
我们公司奉行“创意”秉承“客户至上，以人为本、以诚取信、以质取胜、以新争天下”的质量方针和“正正直直做人，踏踏实实做事”的企业精神。
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