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可控硅 二极管 IGBT模块

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SKIIP12NAB066V1 可靠性高
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产品描述

可售卖地全国 安装类型标准 发货地苏州 售后完善 类型IGBT模块 系列IGBT系列 可控硅类型硅(si) 种类化合物半导体 范围全国 用途电网 新能源汽车 封装材料塑料封装 频率特性中频 功率特性中功率 散热功能不带散热片 控制较触发电压800A 正向重复峰值电压1700V 材质金属 全新原包装模组 芯片
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双型晶体管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)双型三管和绝缘栅型场效应管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(Giant Transistor,GTR)的低导通压降两方面的优点。
IGBT模块的驱动电路负责控制IGBT的开关操作,确保其在适当的时间和方式下导通和截止。保护电路则用于监测和保护IGBT模块免受过电流、过温度和过压等异常情况的损害。
SKIIP12NAB066V1
IGBT模块是一种集成了多个IGBT晶体管、驱动电路和保护电路的半导体器件。IGBT是一种功率半导体器件,具有高电压、高电流和高开关速度的特点,被广泛应用于电力电子设备中,如变频器、电力逆变器、电机驱动器等。
SKIIP12NAB066V1
IGBT模块(Insulated Gate Bipolar Transistor Module)是一种集成了多个IGBT晶体管和驱动电路的模块化器件。IGBT是一种高压、高功率开关器件,结合了MOSFET的高速开关特性和普通双型晶体管的低导通压降特性。
SKIIP12NAB066V1
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