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可控硅 二极管 IGBT模块

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APT2X31DQ60J 电子元器件
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产品描述

可售卖地全国 售后完善 特点反向漏电流小 类型快恢复二极管 RoHS 产品种类整流器 包装说明桶装密封,贴蓝膜 库存数量3614K 工作温度范围150/ 产品规格40-500 反向重复电压200V-2000V 名称平板二极管 封装陶瓷封装 包装盒装 用途软启动等
快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以快恢复二极管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高。
快恢复二极管(Fast Recovery Diode)是一种特殊类型的二极管,具有较快的恢复时间和低反向恢复电荷。它被设计用于开关电路和需要快速反向恢复的应用。
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快恢复二极管的正向压降**普通二极管,通常在1-2V之间,反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和**快恢复两个等级,前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。
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快恢复二极管通常采用高速材料(如硅碳化物SiC)或特殊的结构设计,以实现快速的反向恢复。它们具有较低的反向恢复时间(通常在纳秒级别)和较低的反向恢复电荷,从而减少了开关过程中的能量损耗和电压尖峰。
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